Влияние ультрафиолетового света на люминесценцию (700─1000 nm) кристаллов LiF и LiF:ОН, облученных в ядерном реакторе

Аннотация

Исследованы спектры испускания (700─1000 nm) и поглощения (200–800 nm), облученных в реакторе кристаллов LiF и LiF:ОН, подвергнутых воздействию ультрафиолетового света, в том числе и совмещённого с механической нагрузкой. Цель работы - изучение характера поведения лазерных центров окраски в указанных системах. В диапазоне 710–825 nm наблюдаются диаметрально противоположные результаты: высокая устойчивость F₄ – подобных центров в «чистом» LiF и резкое их разрушение в кристаллах LiF:ОН. В то же время, в обеих группах разрушаются F₃ и F₄ и интенсивно накапливаются лазерные F₂⁺ и F₃^– центры (825–925 nm). При последующей выдержке в условиях комнатной температуры и темноты, наблюдается самопроизвольный распад лазерных центров, сопровождаемый ростом концентрации F₄ – подобных центров и восстановлением микроструктуры облученных кристаллов.