INDUCED STRESS ARISING IN CRYSTALLINE SILICON UNDER EXPOSURE TO ULTRA-SHORT LASER PULSES OF DIFFERENT DURATION IN AIR AND WATER
Ключевые слова:
кремний, спектроскопия комбинационного рассеяния света, ультракороткие импульсы, одноимпульсная абляция в воздухе и в жидкости, локальные напряжения
Аннотация
Производилась модификация поверхности кремния в одноимпульсном режиме фемто-пикосекундными лазерными импульсами (0.3 и 10 пс) ближнего ИК диапазона (1030 нм) при абляции в воздухе и воде. Полученные структуры изучались с помощью микроскопии комбинационного рассеяния света. В ходе исследования установлено, что на границе кратера появляются нанокристаллиты размером 7-8 нм. Обнаружены локальные механические напряжения в центре кратера, знак которых зависит от приложенной плотности энергии. Наибольшие локальные сжимающие напряжения возникают в воде в субфиламентационном режиме при максимальных плотностях энергии.
Опубликован
2021-08-01
Раздел
Статьи
