Зависимость фотолюминесценции от температуры отжига поликристаллических слоев ZnO:Te/Si(111).

Ашуралав Кирамуттинович Омаев

Ашуралав Кирамуттинович Омаев ДФИЦ Институт физики

Ключевые слова: Оксид цинка, люминесценция, структура, морфология.

Аннотация

Оптические материалы

Зависимость фотолюминесценции от температуры

отжига поликристаллических слоев

ZnO:Te/Si(111).

А.К. Омаев, А.М. Багамадова, М.Е. Зобов

Институт Физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского Федерального Исследовательского Центра Российской Академии Наук

367003, Россия, Махачкала, ул. им. М. Ярагского, 94,

Тел. (8722) 62-89-60, e-mail: omaev.67@mail.ru

Поликристаллические пленки ZnO:Te/Si(111) получены методом газофазной эпитаксии в водороде в проточном реакторе пониженного давления. Свойства пленок ZnO:Te/Si(111) исследованы с помощью фотолюминесценции, рентгеновской дифракции и атомной силовой микроскопии. Фотолюминесцентные измерения показали, что в спектре излучения пленок ZnO:Te/Si(111) наблюдается весь диапазон видимой части спектра. Изучение спектра пленок ZnO:Te/Si(111) при 77 К показывает, что люминесценция смещается в красную область. Отжиг пленок при различных температурах (300-500)º С приводит к общему уменьшению интенсивности и к смещению излучения в длинноволновую область спектра.