ЛОКАЛЬНЫЕ ЭКСИТОНЫ В ZnMnO

  • Виктор Иванович Соколов Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук
  • Никита Борисович Груздев Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук
  • Владимир Васильевич Меньшенин Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук
  • Александр Сергеевич Вохминцев Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина
  • Сергей Станиславович Савченко Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина
  • Илья Александрович Вайнштейн Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина
  • Геннадий Анатольевич Емельченко Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук
Ключевые слова: оксид цинка, локальные экситоны, антисвязывающие состояния

Аннотация

В работе зарегистрированы линии a, b, c, d и край примесного поглощения ZnMnO для σ-и π-поляризаций света в интервале температур 7 – 300 К   Интенсивные линии aπ и aσ уверенно наблюдаются в интервале 7-100 K, другие линии – только при низких температурах. Для определения типа оптических переходов, которым соответствуют данные экситонные линии был произведёт расчёт силы осциллятора наиболее интенсивных линий. Линии aπ и aσ имеют лоренцевскую форму, параметры которой вычислены с помощью программы OriginPro 9.1. Определена энергия края примесного поглощения. Линии a, b, c и d анализировались в модели кластера Mn2+ - 4O2-. Оптические переходы происходят из антисвязывающих (p+d5)*-состояний в запрещённой щели в состояние, отщеплённое от дна зоны проводимости ZnMnO. Электронно-дырочные пары в пределах кластера названы локальными экситонами.  

Опубликован
2022-12-19