Оптические свойства халькогенидных стекол системы Ga-Ge-Sb-Se, легированных ионами тербия и диспрозия, вблизи края полосы фундаментального поглощения

Аннотация

В статье представлены результаты измерений оптического отклика халькогенидных стекол состава Ga₅Ge₂₀Sb₁₀Se₆₅, легированных ионами редкоземельных элементов Tb³⁺ или Dy³⁺, в области длин волн 0.7 – 1.5 μm методом ИК-спектроскопии. Рассчитаны параметры, характеризующие край полосы фундаментального поглощения стекол: оптическая ширина запрещенной зоны, параметры области Урбаха и области слабого поглощения. Установлено, что легирование в малых концентрациях (до 0.3 mass%) не влияет на оптические свойства стекол в области Урбаха и ширину запрещенной зоны, но в области слабого поглощения оптический отклик стекол зависит от концентрации активатора. Кристаллизация стекол, полученных методом прямого плавления, также зависит от концентрации активатора. В стеклах, легированных ионами Dy³⁺, полосы поглощения иона находятся в области слабого поглощения стекла, что делает возможным передачу энергии между ионами и связанными состояниями носителей заряда в запрещенной зоне.