Экситоны с переносом заряда в ВТСП купратах и никелатах

Аннотация

Анализ оптических свойств соединений на основе 3d-элементов позволяет получать ценную информацию об электронной структуре
основного состояния и низкоэнергетических возбуждениях. Так, мы показываем, что анализ d-d экситонов с переносом заряда в
диэлектрической антиферромагнитной фазе купратов и метастабильных низкоэнергетических электронно-дырочных EH-димеров как
результата их эволюции с учетом электрон-решеточной релаксации оказывается весьма плодотворным не только для описания
линейных и нелинейных оптических свойств и фотоиндуцированных эффектов, но и для разработки перспективной модели зарядовых
триплетов для описания низкоэнергетической электронной структуры и фазовых $T-x$ диаграмм активных CuO$_2$ плоскостей
в купратах типа $T$-La$_2$CuO$_4$ или $T^{\prime}$-Nd$_2$CuO$_4$, а также NiO$_2$ плоскостей в никелатах типа RNiO$_2$,
и их эволюции при изменении основных энергетических параметров. Работа выполнена при поддержке Министерства Образования и Науки Российской Федерации, проект № FEUZ-2023-0017.