Определение концентрации электронов проводимости в монокристаллических образцах n-GaSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной области при Т = 295 К

Аннотация

Предложен метод раздельного определения концентраций «лёгких» и «тяжёлых» электронов в n-GaSb при Т = 295К на основе анализа спектров отражения в дальней инфракрасной области с учётом плазмон-фононного взаимодействия. Построены расчётные градуировочные зависимости, позволяющие определять концентрации «лёгких» и «тяжёлых» электронов по значению характеристического волнового числа, отвечающего частоте высокочастотной смешанной плазмон-фононной моды.

            Проведены измерения спектров отражения образцов n-GaSb при комнатной температуре и определены концентрации «лёгких» и «тяжёлых» электронов.

            На тех же образцах выполнены электрофизические измерения по методу Ван дер Пау при комнатной температуре. Путём сопоставления оптических и холловских данных определены значения отношения подвижностей «лёгких» и «тяжёлых» электронов (параметр b). Такой способ определения значения параметра b использован впервые.