ВЛИЯНИЕ ТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА НА ГАММА-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ЦЕНТРЫ ОКРАСКИ И АКТИВАТОРНОЕ СВЕЧЕНИЕ В СЦИНТИЛЛЯТОРНЫХ КРИСТАЛЛАХ Lu2SiO5:Ce
Аннотация
Оксиортосиликат лютеция, легированный церием Lu2SiO5:Ce, используется как сцинтиллятор для регистрации ядерных излучений. Однако после гамма облучения (60Co) высокой дозой 5·106 Gy при 310 K выход гаммалюминесценции (ГЛ) снижается на 25%. Для выяснения причин и механизма этого снижения в данной работе исследованы изохронный термический отжиг наведенных оптических центров окраски и восстановление активаторного свечения в интервале температур от 373 до 773 K в воздухе. Показано, что после облучения наряду с полосами 238 (F-центр), 263 (Се3+/Се4+) и 293 nm (Се3+/F+) также регистрируется полоса поглощения 430 nm, которая предположительно связана с дефектным Ce4++VO – центром и ответственна за желтую окраску и снижение ГЛ в полосах 399 и (Сe1-центр) и 450 nm (Ce2-центр). При температурах> 573 K F-центры и Се4++VO 420 nm комплексы отжигаются и ГЛ восстанавливается до исходного уровня, что связано с миграцией междоузельного кислорода к его вакансиии залечиванием радиационных дефектов.
