Генерация и тушение в XeCl*эксимерном лазере при накачке смешанным гамма-нейтронным излучением ядерного реактора

Аннотация

Экспериментально обнаружено снижение коэффициента усиления активной среды эксимерного лазера с ядерной накачкой на В-Х и С-А переходах молекулы XeCl* (308 nm, 352 nm) при накачке Ar-Xe-CCl₄ среды смешанным гамма-нейтронным излучением ядерного реактора. Эффект обусловлен тушащим действием вторичных электронов, образующихся в активной среде эксимерного лазера под действием мгновенного гамма-излучения ядерного реактора. Эффект значительно усиливается при  увеличении плотности  потока гамма-излучения и может достигать значений коэффициента потерь ~ 10^-2 ÷ 2^.10^-2 сm^-1