Датчик малых перемещений на основе одномерного фотонного кристалла с дефектом

Александр Иванович Сидоров; Мария Владимировна Махаева

Александр Иванович Сидоров Университет ИТМО
Мария Владимировна Махаева

Ключевые слова: датчик перемещений, фотонный кристалл, дефект, фотонная запрещенная зона, передаточная матрица

Аннотация

Представлены результаты численного моделирования оптических свойств одномерного (1D) фотонного кристалла (ФК) с дефектом на основе слоев Si-SiO₂ в ближнем ИК диапазоне. Оптическая толщина слоев, образующих ФК, составляла λ/4, 3λ/4 и 10λ/4. Дефект был образован воздушным зазором в середине ФК. Изучено влияние толщины дефекта на спектральное положение полосы пропускания дефекта. Показано, что чувствительность к толщине дефекта d лежит в пределах Δλ/Δd = 330-1200 nm/μm и 0.6-0.85 dB/nm, в зависимости от геометрии датчика и метода измерений. Это делает 1D ФК с дефектом перспективными для использования в датчиках малых перемещений в качестве чувствительного элемента.