ВЛИЯНИЕ ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МЕЗА-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ GAAS НА ИХ ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Иван Алексеевич Мельниченко; Наталья Владимировна Крыжановская; Константин Александрович Иванов; Алексей Михайлович Надточий; Иван Сергеевич Махов; Максим Геннадьевич Козодаев; Роман Равилевич Хакимов; Андрей Михайлович Маркеев; Александр Андреевич Воробьев; Алексей Михайлович Можаров; Юлия Александровна Гусева; Алексей Игоревич Лихачев; Евгений Сергеевич Колодезный; Алексей Евгеньевич Жуков

Иван Алексеевич Мельниченко Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Наталья Владимировна Крыжановская Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Константин Александрович Иванов Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Алексей Михайлович Надточий Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Иван Сергеевич Махов Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
Максим Геннадьевич Козодаев Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
Роман Равилевич Хакимов
Андрей Михайлович Маркеев Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
Александр Андреевич Воробьев Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет им. Ж.И. Алферова Российской академии наук
Алексей Михайлович Можаров Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет им. Ж.И. Алферова Российской академии наук
Юлия Александровна Гусева Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Алексей Игоревич Лихачев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Евгений Сергеевич Колодезный Университет ИТМО
Алексей Евгеньевич Жуков Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»

Ключевые слова: InGaAs, квантовая яма, поверхностная пассивация, атомно-слоевое осаждение

Аннотация

Исследованы оптические свойства цилиндрических меза-структур на основе GaAs до и после пассивации, выполненной с применением обработки структур в водородной плазме с последующим атомно-слоевым осаждением слоя Al₂O₃. В качестве светоизлучающей области меза-структур использованы квантовая яма In_0.2Ga_0.8As/GaAs и сверхрешетка GaAs/AlAs. Диаметр мез изменялся от 3 до 20 мкм. В результате пассивации получено 8-ми кратное увеличение интенсивности фотолюминесценции мез диаметром 9 мкм при комнатной температуре, а исследования фотолюминесценции таких меза-структур с разрешением по времени продемонстрировали увеличение времени жизни носителей заряда с 0.13 до 0.9 нс.