Оценка неоднородности распределения плотности тока и температуры в структурах биполярных и гетеробиполярных СВЧ транзисторов по рекомбинационному излучению (ФизикА.СПб)

Илья Владимирович Фролов; Вячеслав Андреевич Сергеев; Александр Александрович Казанков

Илья Владимирович Фролов УФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
Вячеслав Андреевич Сергеев Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им.В.А.Котельникова Российской академии наук
Александр Александрович Казанков Ульяновский государственный технический университет

Аннотация

Представлены результаты исследований параметров рекомбинационного излучения, возникающего в структурах биполярных транзисторов в импульсном и стационарном режимах работы. Получены яркостные профили распределения рекомбинационного излучения структуры при включении биполярных транзисторов в диодном режиме, позволяющие оценить неоднородность распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации. На примере транзисторов КТ504А показано, что яркостные профили рекомбинационного излучения эмиттерного перехода в диодном включении хорошо описываются выражениями для распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации.