Участие дефектов, локализованных на гетерограницах, и протяженных дефектов в деградации светоизлучающих приборов на основе нитридов (ФизикА.СПб)

Аннотация

Экспериментально исследовано снижение внешней квантовой эффективности (ВКЭ) коммерческих светодиодов на основе квантоворазмерных структур InGaN/GaN на длину волны 445, 530 и AlGaN/GaN на 280 нм в стандартном режиме старения на постоянном токе. Выяснено, что снижение ВКЭ светодиодов, не зависимо от длины волны излучения, происходит в результате кооперативных явлений, развивающихся в 1-2 квантовых ямах (КЯ), находящихся в области объемного заряда (ООЗ) p-n перехода, а также в большей части КЯ вне ООЗ. Показано, что неоднородное протекание тока в этих областях приводит не только к трансформации дефектов, локализованных на гетерограницах в ООЗ и в латеральных неоднородностях состава твердого раствора вне ООЗ, а также в протяженных дефектах, но и к изменению состава.

A decrease in the external quantum efficiency (EQE) of commercial LEDs based on quantum-sized InGaN/GaN structures at wavelengths of 445, 530 and AlGaN/GaN at 280 nm in the standard DC aging mode has been experimentally investigated. It was found out that the decrease in the EQE of LEDs, regardless of the wavelength of radiation, occurs as a result of cooperative phenomena developing in 1-2 quantum wells (QW) located in the region of the volume charge of the p-n junction, as well as in most of the QW outside the region of the volume charge. It is shown that the inhomogeneous flow of current in these regions leads not only to the transformation of defects localized on the heterointerfaces in the region of the volume charge and in the lateral inhomogeneities of the composition of the solid solution outside the region of the volume charge, as well as in extended defects, but also to a change in composition.