О МЕХАНИЗМЕ СЕЛЕКТИВНОГО ЗАСЕЛЕНИЯ УРОВНЯ 3p1 АТОМА НЕОНА В He-Ne ПЛАЗМЕ

Аннотация

В спектроскопических исследованиях гелий-неоновой плазмы, проведенных ранее, была обнаружена ярко выраженная селективность заселения уровня 3p₁ (по Пашену), верхнего из группы уровней конфигурации 2p⁵4p атома Ne. По мере роста давления гелия в линии 352.05 nm (3p₁ → 1s₂) концентрировалось до 60% интенсивности всех переходов 2p⁵4p → 2p⁵3s. В настоящей работе предложен механизм роста относительной населенности уровня 3p₁ при увеличении давления He, связанный с особенностями столкновительной кинетики состояний 3p_i  2p⁵4p – конфигурации. Причиной значительно более быстрого опустошения нижних уровней 3p_i (i ≥ 2) по сравнению с 3p₁, по-видимому, являются особенности взаимного расположения адиабатических термов системы Ne(2p⁵4p) + He(1s^2 1S₀). Механизм формирования селективного заселения уровня 3p₁, рассмотренный в данной работе, может реализоваться в смеси гелия с неоном и не может реализоваться в чистом неоне, что соответствует результатам спектроскопических исследований. Проведены модельные расчеты части спектра, относящейся к переходам (3p₁, 3p₄, 3p₂ → 1s_j), при фиксированном распределении потоков заселения 3p₁, 3p₄, 3p₂ и различных давлениях гелия. Наблюдается хорошее соответствие результатов измерений и результатов численного моделирования.