Письма в Журнал технической физики

Поиск аксиоэлектрического эффекта в атомах Kr для солнечных аксионов

2024-03-26T18:20:58+03:00

Проведен поиск аксиоэлектрического эффекта в атомах криптона для солнечных аксионов. Для поиска использовался газовый пропорциональный счетчик, расположенный в низкофоновой установке в подземной лаборатории Баксанской нейтринной обсерватории ИЯИ РАН. В результате получены новые ограничения на константу связи аксиона с электроном (|g_Ae| ≤ 4.9∙10^-11) и на произведение констант связи с электроном и фотоном (|g_Aeg_Aγ| ≤ 1.6∙10^-19GeV^-1), все для уровня достоверности 90%.

Демонстрация методики центрального нижнегибридного нагрева плазмы высокой плотности на токамаке ФТ-2

2024-03-26T18:20:58+03:00

Экспериментально продемонстрирована теоретически установленная зависимость изменения места локализации дополнительного нижнегибридного нагрева ионов при изменении напряженности тороидального магнитного поля В_Т (от 1.7Т до 2.5Т). Эксперименты выполнены на токамаке ФТ-2 – компактном токамаке пологой конфигурации с сильным тороидальным магнитным полем (R=0.55m, r=0.08m, B_T≤ 3.5T). Максимальное увеличение температуры ионов от T_i(0) = 200eV до T_i(0) = (500–600) eV в результате дополнительного центрального НГ нагрева (f₀ = 920 MHz, P_RF = 100kW) было получено в дейтериевой плазме при пониженном значении В_Т = (1.7 – 1.9) Т.

Спекание нанопорошков α- и γ-Al2O3 с добавкой оксида висмута

2024-03-26T18:20:58+03:00

В работе экспериментально исследовалось спекание компактов состава α-Al2O3 (96%) + Bi2O3 (4%) и γ-Al2O3 (96%) + Bi2O3 (4%) полученных при помощи холодного изостатического прессования давлением 1 GPa. Обнаружена существенная разница в характере спекания и конечного состава в зависимости от типа кристаллической решетки Al2O3. Установлен немонотонный характер усадки при спекании α-Al2O3 с Bi2O3 в районе 1100°С.

ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ ПАРАМЕТРОВ СУБНАНОСЕКУНДНОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ ПРИ ТЕРМОЦИКЛИРОВАНИИ

2024-03-26T18:20:58+03:00

В работе исследована деградация параметров СВЧ модуля из последовательно включённых p-i-n AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователей при термоциклировании в диапазоне температур 25-80 ^оС и постоянном лазерном излучении из многомодовых оптоволокн с суммарной мощностью 2 W на длине волны 810 nm. При термоциклировании наблюдалось стабилизация фотоэлектрических параметров СВЧ модуля при снижении выходной электрической мощности с 955 mW до 926 mW и уменьшении КПД на 3%.

Субнаносекундная кинетика рекомбинационного излучения высоковольтного арсенид-галлиевого диода при ударно-ионизационном переключении

2024-03-26T18:20:59+03:00

С помощью метода коррелированного во времени счета одиночных фотонов исследована кинетика рекомбинационного излучения высоковольтного арсенид-галлиевого диода при субнаносекундном переключении, инициированном быстрым увеличением обратного напряжения. Переключение происходит по локальным токовым каналам. Показано, что интенсивность излучения достигает максимального значения за время менее 80 ps, что дает оценку сверху на время переключения диода в проводящее состояние. Спад интенсивности излучения после переключения происходит за аномально малое время 250-700 ps. Субнаносекундный спад интенсивности излучения свидетельствует о высокой концентрации неравновесных носителей в проводящих каналах и достижении порога стимулированного излучения. Стимулированный характер излучения подтверждается сужением спектра рекомбинации.

Особенности вольтамперной характеристики тонкопленочных термисторов со слоевой структурой, полученных магнетронным напылением

2024-03-26T18:20:59+03:00

Методом магнетронного напыления создан слоевой вариант термистора, когда рабочий слой полупроводниковой пленки шпинельной фазы наносится на предварительно сформированную на подложке поликора металлическую пленку, образующую внутренний электрод. Исследованы особенности вольтамперных характеристик полученных термисторов. Установлено, что переход к слоевой структуре позволяет получить чип-термисторы с сопротивлением менее 100 Ω с сохранением высокой температурной нелинейности сопротивления. После температурной обработки при 400–500 °С термисторы приобретают на два-три порядка большее сопротивление и ярко выраженную полевую нелинейность, определяющую сильную зависимость сопротивления от приложенного напряжения. Образцы термисторов с внутренним электродом из Ni, и, особенно, из NiCr после отжига при 500 °С проявляют высокую устойчивость к экстремальным электрическим нагрузкам в единицы ватт.

Кремниевый лавинный фотодиод с фронтом нарастания фотоотклика меньше 350 ps на длине волны 1064 nm

2024-03-26T18:20:59+03:00

Проведены исследования оптических, электрических и динамических характеристик разработанного кремниевого лавинного фотодиода с активной областью диаметром 350 μm. Показано, что разработанный лавинный фотодиод обладает следующей совокупностью характеристик: внешний квантовый выход 215 electrons/photon на длине волны 1064 nm, темновой ток 0.77 nA, коэффициент умножения 2353, фронт нарастания менее 350 ps при напряжении обратного смещения 274 V.

Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью

2024-03-26T18:20:58+03:00

Исследованы ватт-амперные характеристики полудисковых микролазеров c активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек, излучающих на длине волны 1090 nm. Приборы были изготовлены путем скалывания дисковых резонаторов диаметром 200 µm с шириной кольцевого контакта 10 µm. В режиме непрерывной накачки максимальная выходная мощность при 20ºС составила 110 mW, а лазерная генерация наблюдалась до 113°С.

ОБЩИЙ ПОДХОД К РАСЧЕТУ УПРУГИХ ХАРАКТЕРИСТИК ОСЕСИММЕТРИЧНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК В НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛАХ

2024-03-26T18:20:59+03:00

Рассмотрен общий подход к расчету упругих полей и энергий квантовых точек (КT=QD), обладающих собственной дилатационной деформацией и расположенных вдоль оси симметрии нитевидного нанокристалла (ННК=NW). Для этого решена задача об упругих полях бесконечно-тонкого дилатационного диска (ДД), полностью погруженного в матрицу в виде ННК. Показано, как с помощью аналитического решения для ДД могут быть рассчитаны упругие характеристики осесимметричных КТ различной формы в гибридных наноструктурах КТ/ННК.

АНАЛИЗ МЕХАНИЗМА ГЕНЕРИРОВАНИЯ НЕПРЕРЫВНОЙ СОСТАВЛЯЮЩЕЙ КАВИТАЦИОННОГО ШУМА

2024-03-26T18:20:58+03:00

Показано, что асинхронность пульсаций кавитационных пузырьков в разных точках ультразвукового поля может быть одним из механизмов генерирования непрерывной составляющей в спектре кавитационного шума. Вклад этого фактора растет с ростом степени апериодичности генерируемых пузырьками возмущений и не связан однозначно интенсивностью ударных волн, генерируемых при захлопывании пузырьков. Приведены экспериментальные данные, подтверждающие этот вывод

Оптимизация периодического варьирования температуры монокристалла танталата лития в пироэлектрическом ускорителе для стабильной генерации рентгеновского излучения

2024-03-26T18:20:59+03:00

Анализ спектров рентгеновского излучения и кривых периодического варьирования температуры монокристалла танталата лития показывает, что смещение осцилляции температуры является негативным фактором, который ведет к нестабильной работе пироэлектрического ускорителя. При этом есть область допустимых смещении, при которых генерация частиц остается стабильной. Тем самым, необходим мониторинг выполнения закона изменения температуры для эффективной работы пироэлектрического ускорителя. Влияние давления остаточного газа и амплитуды осцилляции температуры на действие обсуждаемого фактора также обсуждается и анализируется.